检测项目
1.晶圆表面腐蚀检测:酸碱腐蚀形貌,表面微坑缺陷,晶体取向腐蚀速率
2.金属布线腐蚀检测:电迁移腐蚀,湿气诱导枝晶生长,金属层孔洞
3.封装基板腐蚀检测:焊盘腐蚀,铜箔蚀刻残余,电化学腐蚀变色
4.键合引线腐蚀检测:金线键合点腐蚀,铝楔形焊点腐蚀,引线颈部断口
5.芯片钝化层腐蚀检测:介质层针孔腐蚀,保护膜开裂渗透,侧壁腐蚀
6.湿气加速腐蚀检测:高温高湿偏压腐蚀,凝露诱发短路腐蚀,吸湿劣化
7.离子污染腐蚀检测:卤素离子侵蚀,钠离子迁移腐蚀,残留助焊剂腐蚀
8.电化学腐蚀检测:阳极溶解腐蚀,微电池效应腐蚀,电位差驱动腐蚀
9.晶界腐蚀检测:多晶硅晶界侵蚀,金属间化合物晶界劣化,界面扩散腐蚀
10.气相腐蚀检测:硫化氢气氛腐蚀,二氧化硫气体侵蚀,有机蒸汽腐蚀
11.光刻工艺腐蚀检测:显影液过度腐蚀,刻蚀液侧向钻刻,清洗液点蚀
12.热机械腐蚀检测:热应力诱导裂纹腐蚀,界面分层耦合腐蚀,疲劳氧化腐蚀
检测范围
硅晶圆、砷化镓晶片、碳化硅外延片、氮化镓衬底、集成电路裸芯片、微处理器封装体、存储器模组、覆铜陶瓷基板、引线框架、焊球阵列封装器件、倒装芯片、硅通孔互连结构、薄膜晶体管、功率半导体模块、表面贴装阻容元件、微机电系统器件、发光二极管芯片、光电耦合器、晶圆级封装器件、系统级封装模块
检测设备
1.扫描电子显微镜:用于观察半导体材料及器件腐蚀区域的微观形貌与结构缺陷;具备高分辨率成像及元素成分分析功能。
2.透射电子显微镜:用于分析腐蚀界面的原子级晶体结构及晶格损伤;可表征极薄样品的微观腐蚀机制。
3.聚焦离子束系统:用于制备腐蚀区域的截面样品及微观结构切割;具备精密定点加工及三维重构功能。
4.原子力显微镜:用于检测腐蚀表面的纳米级粗糙度及三维形貌;可测量局部微区的高度差异与孔洞深度。
5.能量色散谱仪:用于定性及半定量分析腐蚀产物或污染物的元素组成;可配合电子显微镜进行微区成分点面分布扫描。
6.光发射显微镜:用于无损检测半导体内部漏电路径及局部电场异常区域;可定位电化学腐蚀活跃点。
7.离子色谱仪:用于精确测定半导体表面及内部微量腐蚀性离子的浓度;具备高灵敏度的阴离子与阳离子分离检测能力。
8.恒温恒湿试验箱:用于模拟半导体器件在潮湿环境下的加速腐蚀过程;具备精准温湿度控制及偏压施加接口。
9.电化学工作站:用于测量半导体金属层在电解液中的极化曲线与阻抗谱;可测试材料耐腐蚀电位及腐蚀电流密度。
10.红外热像仪:用于捕捉器件在偏压腐蚀过程中的表面温度分布;可识别异常发热及电流聚集的腐蚀风险区。
北京中科光析科学技术研究所【简称:中析研究所】
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).
CMA/CNAS等证书详情,因时间等不可抗拒因素会发生变更,请咨询在线工程师.
合作客户(部分)
1、自创办以来和政、企、军多方多次合作,并获得众多好评;
2、始终以"助力科学进步、推动社会发展"作为研究院纲领;
3、坚持科学发展道路,统筹实验建设与技术人才培养共同发展;
4、学习贯彻人大精神,努力发展自身科技实力。